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N沟道增强型20A/60V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-08 11:15

N沟道增强型20A/60V MOSFET 
  海飞乐技术1S20N06LA4,N沟道增强型MOSFET,电压60V,电流20A,内阻27mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,有快速开关,低导通电阻,低反向传输电容、低栅极电荷等优点。应用于小电机、应急电源、不间断电源、去频闪等领域。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
 
1S20N06LA4
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
1S20N06LA4应用:
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型20A/60V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型20A/60V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型20A/60V MOSFET电参数
N沟道增强型20A/60V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型20A/60V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型20A/60V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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