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大功率N沟道增强型310A/150V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-26 15:01

N沟道增强型310A/150V MOSFET 
  海飞乐技术FN310N15A,硅N沟道增强型VDMOSFET,电压150V,电流310A,内阻4mΩ。采用自对准SGT技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为SOT-227B,符合RoHS标准。
 
FN310N15A
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN310N15A应用:
功率开关电路
 
N沟道增强型310A/150V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型310A/150V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型310A/150V MOSFET电参数
N沟道增强型310A/150V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型310A/150V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型310A/150V MOSFET特性曲线图 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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