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N沟道增强型40A/100V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-09-29 17:43

N沟道增强型40A/100V MOSFET 
  海飞乐技术40N10A4,N沟道增强型MOSFET,电压100V,电流40A,内阻14mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,有快速开关,低导通电阻,低栅极电荷等优点。应用于电机、应急电源、不间断电源、逆变器、去频闪等领域。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
 
40N10A4
RDS(ON) <17mΩ @ VGS=10V (Typ14mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
 
40N10A4应用:
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型40A/100V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型40A/100V MOSFET绝对值参数
 
N沟道增强型40A/100V MOSFET电参数
N沟道增强型40A/100V MOSFET电参数
 
N沟道增强型40A/100V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型40A/100V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!



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