N沟道增强型40A/100V MOSFET
作者：海飞乐技术 时间：2019-09-29 17:43
海飞乐技术40N10A4，N沟道增强型MOSFET，电压100V，电流40A，内阻14mΩ。采用先进的沟槽技术和设计，有快速开关，低导通电阻，低栅极电荷等优点。应用于电机、应急电源、不间断电源、逆变器、去频闪等领域。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
40N10A4特点：
RDS(ON) <17mΩ @ VGS=10V (Typ14mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
40N10A4应用：
电机
应急电源
不间断电源UPS
N沟道增强型40A/100V MOSFET绝对值参数
40N10A4特点：
RDS(ON) <17mΩ @ VGS=10V (Typ14mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
40N10A4应用：
电机
应急电源
不间断电源UPS
N沟道增强型40A/100V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型40A/100V MOSFET电参数
N沟道增强型40A/100V MOSFET特性曲线图
海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！
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