23A/1200V高压MOSFET替换APT22F120B2

  海飞乐23N120A47，硅N沟道23A/1200V增强型VDMOSFET，采用自对准平面技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-247，符合RoHS标准。
 
23N120A47特点：
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
23N120A47应用：
电源开关电路
 
23A/1200V高压MOSFET绝对值参数  
23A/1200V高压MOSFET电特性  
23A/1200V高压MOSFET特性曲线  
海飞乐23N120A47可完全替换APT22F120B2。
APT22F120B2技术参数
FET类型：N沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25℃时）：23A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）Max：5V @ 2.5mA
不同Vgs时的栅极电荷（Qg）Max：260nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）Max：8370pF @ 25V
Vgs（最大值）：±30V
功率耗散（最大值）：1040W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：700mΩ @ 12A，10V
工作温度：-55℃~ 150℃（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3 变式
封装形式Package：T-MAX
极性Polarity：N-CH
漏源极击穿电压VDSS：1200V
连续漏极电流ID：23A
无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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