N沟道100A/600V大电流超结MOSFET

  海飞乐FN100N60J，硅N沟道增强型VDMOSFET，采用自对准超结技术，降低了导通损耗，改善了开关性能，提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路，使系统小型化，效率更高。包装形式为SOT-227B，符合RoHS标准。
 
FN100N60J特点：
专有的新超结技术
RDS(ON).typ.=18mΩ
低栅极电荷使开关损耗最小化
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN100N60J应用：
适配器
充电器
开关电源备用电源
开关稳压器
 
N沟道100A/600V超结MOSFET绝对值参数  
N沟道100A/600V超结MOSFET电参数  
N沟道100A/600V超结MOSFET特性曲线图  
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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