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P沟道100A/60V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-12-09 17:48

P沟道100A/60V MOSFET 
  海飞乐技术100P06A0采用先进的沟槽工艺技术,硅P沟道增强型功率MOSFET,低栅极电荷降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-263,符合RoHS标准。
 
100P06A0
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
100P06A0应用:
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
应急电源
电机
 
P沟道100A/60V MOSFET绝对值参数
P沟道100A/60V MOSFET绝对值参数 
 
P沟道100A/60V MOSFET电参数
P沟道100A/60V MOSFET电参数 
 
P沟道100A/60V MOSFET特性曲线图
P沟道100A/60V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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