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N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-03-20 17:38

N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET 
  海飞乐技术D1515是采用自对准平面技术的硅N沟道耗尽型MOSFET,它可以降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于开关启动保护,使系统小型化,效率更高。包装形式为SOT-23,符合RoHS和无卤素标准。
 
D1515
N-通道
ESD改善能力
耗尽型
额定dv/dt
无铅电镀;符合RoHS标准
无卤
 
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET绝对值参数
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET电参数
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET电参数 
 
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET特性曲线图
N沟道耗尽型200mA/150V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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