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N沟道增强型150A/150V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-07-15 16:31

N沟道增强型150A/150V MOSFET 
  海飞乐技术150N15A8是N沟道增强型MOSFET,采用先进的沟槽技术和设计,以低栅电荷提供超低的导通电阻。具有低反向传输电容、低栅极电荷、低开关功率损耗等优点。应用于电机、控制器、逆变器、UPS等领域。包装形式为TO-220,符合RoHS标准。
 
 
150N15A8
RDS(ON) <6.5mΩ @ VGS=10V(Typ5.5mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
 
150N15A8应用:
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
 
N沟道增强型150A/150V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型150A/150V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型150A/150V MOSFET电参数
N沟道增强型150A/150V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型150A/150V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型150A/150V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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