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60V/120A大电流PMOS

作者:海飞乐技术 时间:2020-08-07 14:58

PMOS 
  海飞乐技术120P06A47是大电流60V/120A PMOS,采用先进的沟槽工艺技术,低栅极电荷降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-247,符合RoHS标准。
 
  PMOS是在N型硅的衬底上,通过选择掺杂形成P型的掺杂区,作为PMOS的源漏区。两块源漏掺杂区之间的距离称为沟道长度L,而垂直于沟道长度的有效源漏区尺寸称为沟道宽度W。对于这种简单的结构,器件源漏是完全对称的,只有在应用中根据源漏电流的流向才能最后确认具体的源和漏。
 
  PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底,其中的多数载流子是电子,少数载流子是空穴,源漏区的掺杂类型是P型,所以,PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压,亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子,而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层,不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响,衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时,在相对于源端为负的漏源电压的作用下,源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端,形成从源到漏的源漏电流。同样地,VGS越负(绝对值越大),沟道的导通电阻越小,电流的数值越大。
 
120P06A47
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
120P06A47应用:
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
应急电源
电机
 
60V/120A大电流PMOS绝对值参数
60V/120A大电流PMOS绝对值参数 
 
60V/120A大电流PMOS电参数
60V/120A大电流PMOS电参数 
 
60V/120A大电流PMOS特性曲线图
60V/120A大电流PMOS特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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