东芝SiC肖特基二极管特性与应用
作者：海飞乐技术 时间：2017-03-28 17:55
碳化硅（Silicon carbide，化学式SiC）俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀罕的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体中。
虽然有很多关于碳化硅制造史的传闻，但是真正实现碳化硅的大量制备还是在1890年由爱德华•古德里奇•艾奇逊逊率先实现的，到现在SiC已发展成为主要的宽带隙半导体材料之一，成为当前半导体研究领域的前沿和热点。
SiC材料特性中最具吸引力的方面有：
宽带隙，不同聚合物可以高达（3～3.3）eV；
高的雪崩临界击穿电场，（2.5～5）MV / cm；
高热导率，（3～4.9）W / cm•K
高工作温度（高达1000 ℃）
高化学稳定性和抗辐照特性
作为电子材料，SiC介电常数仅高于金刚石，在高频器件中具有很大潜力；SiC具有较高的击穿场强和热导率，在高温大功率领域中具有广阔的前景。
SiC肖特基二极管特性
肖特基二极管是结构最简单的SiC电子器件，考虑反向击穿电压和通电电阻率的两项重要器件参数，SiC明显优于Si和GaAs肖特基二极管。
SiC肖特基二极管作为一种低功耗、超高速半导体器件，其最显著的特点为：
正向压降低，约只有一般硅二极管的一半
反向恢复时间小，比超快速恢复管还要小得多
非常适合替代硅材料快速恢复二极管（FRD）的应用，以提高电源效率，此外，还多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，以及微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管。
东芝SiC肖特基二极管产品
东芝提出SiC-SBD（碳化硅肖特基二极管）和IEGT组成混合型器件的解决方案，此方案结合了全SiC器件低导通电阻和低开关损耗特性，可以使整个设备系统更高效节能，更轻小型化。
下表是东芝为客户提供SiC肖特基二极管产品阵容：
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