英飞凌第五代高效率1200V CoolSiC肖特基二极管
作者：海飞乐技术 时间：2019-04-17 15:44
新的封装将爬电距离和电气间隙增至8.7mm，能够在严重污染环境中实现非凡安全性。结合硅IGBT或超结MOSFET，譬如，在三相系统中用于Vienna整流或PFC升压，CoolSiC系列二极管相比于硅二极管，效率可提高1%或以上，PFC和DC-DC级的输出功率可增加40%或以上。除开关损耗微乎其微之外——这是碳化硅肖特基二极管的标志性特点——第五代CoolSiC系列二极管产品还具备出类拔萃的正向电压（VF），VF受温度影响的偏移小，并且拥有超强的浪涌电流能力。得益于此，该系列产品能够以极具吸引力的价位，提供市场领先的效率和出色的系统可靠性。
归功于业内最低正向电压（VF）和不易受温度影响的特性，相对于市场上的碳化硅二极管，第五代CoolSiC系列二极管在整个负载范围内具备最低静态损耗，同时10A CoolSiC系列二极管具备与30A超快硅二极管相当的正向电压，提供了硅二极管之外更具吸引力的选择。与此同时，它的反向恢复电荷几乎为零。
650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode/ultrafast Si diode in a Vienna rectifier topology fsw = 48Hz
归功于业内最低正向电压（VF）和不易受温度影响的特性，相对于市场上的碳化硅二极管，第五代CoolSiC系列二极管在整个负载范围内具备最低静态损耗，同时10A CoolSiC系列二极管具备与30A超快硅二极管相当的正向电压，提供了硅二极管之外更具吸引力的选择。与此同时，它的反向恢复电荷几乎为零。
关键特性
1. 无反向恢复电流，无正向恢复电压
2. 开关性能不受温度影响
3. 即使在较高温度下，可保持较低正向电压
4. 正向电压参数分布集中
5. 超强的浪涌电流能力
6. 2脚封装，爬电距离和电气间隙为8.7mm
主要优势
1. 即插即用，轻松取代硅二极管
2. 相比于硅二极管，系统效率有所提高
3. 可实现更高频率/更大功率密度
4. 提升系统可靠性
Application example - 3-phase Vienna rectifier and DC-DC output rectifier
Application example -3-phase Power Factor Correction (PFC)
产品组合
TO-247和TO-247-2封装其正向电流最高可达40A，TO-220-2封装为20A，DPAK封装为10A。
目标应用包括：太阳能逆变器、电动汽车直流充电系统、开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、储能、电机驱动、电焊机和商用农用车（CAV）等。
文章来源：英飞凌工业半导体
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