快速软恢复二极管设计制作的技术难点有哪些？

 接触的实现
  为了满足芯片与底座间的电学和散热的要求，要在二极管的两端实现欧姆接触。由于快速软恢复二极管的阳极和阴极都具有复杂的结构和较浅的扩散深度，大功率器件的传统欧姆接触工艺——烧结工艺将会破坏这种结构及期望的性能。解决这一问题的方法是采用多层金属的欧姆接触工艺。二极管阳极与阴极采用多层金属工艺来实现欧姆接触是本课题的难点之一，也是重点之一。在现有的理论及实践的基础上，不断完善其工艺流程，从而提高二极管的性能和成品率。
  快速软恢复二极管结构的设计
  在已有结构设计的基础上，进一步优化设计二极管的阳极、阴极结构参数来改善其反向恢复特性，减小恢复时间，提高软度因子。
  P+的选择扩散
  在SIOD结构中，二极管的阳极采用密度很大的P+岛的设计方法，因而不仅要制作出精密的掩膜板，更重要的是需要建立一套比较完善的硼扩散系统，摸索出一套行之有效的硼扩散工艺，以实现硼的掩蔽扩散。

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