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DSEP8-12A/STTH8S12参数及替换

作者:海飞乐技术 时间:2020-08-05 17:16

1200V8A快恢复二极管 
  DSEP8-12A/STTH8S12快恢复二极管,电流8A,电压1200V,TO-220封装。反向恢复时间短,开关特性好,低反向电流,低热阻,降低开关和导通损耗。主要应用于开关电源、变频器、整流器、不间断电源(UPS)等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。
 
DSEP8-12A主要参数
制造商: IXYS
产品种类: 整流器
安装风格: Through Hole
封装/箱体: TO-220AC-2
Vr - 反向电压 : 1200 V
If - 正向电流: 10 A
配置: Single
Vf - 正向电压: 2.94 V
最大浪涌电流: 40 A
Ir - 反向电流 : 60 uA
恢复时间: 40 ns
最小工作温度: - 55℃
最大工作温度: + 175℃
高度: 9.15 mm  
长度: 10.66 mm  
宽度: 4.82 mm  
Pd-功率耗散: 60 W  
单位重量: 2.300 g
 
STTH8S12主要参数
制造商: STMicroelectronics
产品种类: 整流器
安装风格: Through Hole
封装/箱体: TO-220AC-2
Vr - 反向电压 : 1.2 kV
If - 正向电流: 8 A
配置: Single
Vf - 正向电压: 2.7 V
最大浪涌电流: 70 A
Ir - 反向电流 : 5 uA
恢复时间: 32 ns
最大工作温度: + 175℃ 
单位重量: 6 g
 
STTH8S12封装结构与尺寸图
STTH8S12封装结构与尺寸图  
 
DSEP8-12A封装结构与尺寸图
DSEP8-12A封装结构与尺寸图 
 
快恢复二极管的结构
  快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同,它属于PIN结型二极管,即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I,构成PIN硅片。因基区很薄,反向恢复电荷很小,所以快恢复二极管的反向恢复时间较短,正向压降较低,反向击穿电压(耐压值)较高。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小,使其trr可低至几十纳秒。
 
  快恢复二极管:有0.8-1.1V的正向导通压降,35-85ns的反向恢复时间,在导通和截止之间迅速转换,提高了器件的使用频率并改善了波形。快恢复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.目前快恢复二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。
 
 
 
DSEP8-12A/STTH8S12替换资料
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