IRFB4227PBF现货参数应用及PDF资料下载

IRFB4227PBF应用
  IRFB4227PBF是HEXFET功率MOSFET，专门为等离子体显示板中能量回收开关的应用而设计。这种MOSFET采用最新处理技术，以实现低导通电阻和低脉冲额定值。这种MOSFET的附加特性是175℃工作结温度和高重复峰值电流能力。这些特性结合在一起，使这种MOSFET成为一种高效、耐用和可靠的PDP驱动设备。
 
IRFB4227PBF特性
先进工艺技术
优化的关键参数
低导通栅极电荷，快速响应
高重复峰值电流能力，可靠运行
短下降和上升时间，快速切换
175℃工作结温度，提高耐用性
鲁棒性和可靠性的重复雪崩能力
D类音频放大器300W-500W（半桥）
 
IRFB4227PBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续漏极电流:65 A
Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:±30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V
Qg-栅极电荷:70 nC
工作温度范围:- 40℃~+ 175℃
Pd-功率耗散:330 W
尺寸:15.65 mmx10 mmx4.4 mm
正向跨导-最小值:49 S
下降时间:31 ns
上升时间:20 ns
典型关闭延迟时间:21 ns
典型接通延迟时间:33 ns
单位重量:6 g
 
IRFB4227PBF电力特性

 
IRFB4227PBF特性曲线图  
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