8A/650V碳化硅肖特基二极管

  碳化硅肖特基二极管在大功率应用方面的最大优势在于近乎理想的动态特性。在反向恢复瞬态，当二极管从正向导通模式转变为反向阻断模式时，有很低的反向恢复时间，而且在整个工作温度范围内保持不变。这是由于碳化硅肖特基二极管是单极器件，没有少数载流子注入和自由电荷的存储。在恢复瞬态，所涉及的电荷只有结耗尽区电荷，而且它比相同结构的Si器件结耗尽区电荷至少小一个数量级。这对于要求工作于高阻断电压或高温条件的器件非常有利。
  这种特性实现了功率电子器件的突破，解决了高频电子应用中，二极管速度限制整个电路性能的主要瓶颈。商业化的SIC SBD已应用于高频开关电源、功率因数校正和电机驱动等领域。
 
8A/650V碳化硅肖特基二极管特性
·零反向恢复电流
·零正向恢复电压
·工作结温度175℃
·独立开关特性
·正温度系数V_F
 
8A/650V碳化硅肖特基二极管优点
·单极型器件
·几乎无开关损耗
·更高工作效率
·散热片尺寸减小
·并联无热失控
 
8A/650V碳化硅肖特基二极管应用领域
开关电源
功率因数校正
电机驱动、光伏逆变器、风力发电站
 
8A/650V碳化硅肖特基二极管最大额定值  
8A/650V碳化硅肖特基二极管电特性  
8A/650V碳化硅肖特基二极管曲线特性图  
8A/650V碳化硅肖特基二极管封装形式：TO-220-2


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