600A/100V肖特基二极管模块

 
600A/100V肖特基二极管模块性能与应用
  沟槽型肖特基二极管是在平面型二极管的基础上，利用了金属-半导体-硅的MOS效应而发明出来的沟槽型MOS肖特基势垒二极管。其主要特点是随着反向电压升高，通过MOS效应，沟槽之间提前夹断，电场强度在到达硅表面之前，降为零，避免在表面击穿，提高了阻断能力。另外，其相对于平面二极管还有着其它不可比拟的优势，主要表现在ESD和抗浪涌电流能力增强，更小的芯片面积，相同的衬底和金属条件下，反向漏电流较低，Vf较低等。
  海飞乐技术600A/100V肖特基二极管模块，多种封装尺寸选择，产品性能好，正向压降低，开关损耗小、转换时间短，应用于逆变焊机、开关电源、不间断电源、大功率转换器等，降低功耗，提高效率和使用频率，减少电路噪声。
 
600A/100V肖特基二极管模块特点
反向恢复电压：Vrrm=100V
低正向电压降：VF（typ.）=0.4V
平均正向电流：IF（AV.）=300A @Tc=100℃
超快速反向恢复时间：Trr（typ.）=80ns
减少电磁干扰与开关损耗
非绝缘型封装
 
600A/100V肖特基二极管模块主要参数  
600A/100V肖特基二极管模块电特性  
600A/100V肖特基二极管模块特性曲线图  
600A/100V肖特基二极管模块封装结构与尺寸图  
肖特基二极管的应用
  肖特基二极管的主要特点是高频性能好和正向压降低。这些特点加上制作简便，使该器件得到广泛的应用。
  1. 作为通用整流器，可以应用于许多电路中。
  2. 由于其高频性能良好，在所有的整流器中肖特基势垒是在微波混频器和检波器方面使用最广泛的二极管。
  3. 由于正偏置下其损耗低(低压降)，故它被极其广泛地应用于电力电子设备中。特别是它可应用于低压、大电流电源中。
  4. 由于I-V特性的非线性，故它可用作变阻器。
  5. 基于反偏置下其耗尽层电容是可变的，它可用作变容二极管.
  6. 它是许多其他器件的基本结构单元，如太阳能电池、光电探测器、金属基极晶体管、MESFET等。
 
 
 
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