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N沟道增强型170A/30V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-07-31 18:14

N沟道增强型170A/30V MOSFET 
  MOSFET场效应晶体管通常简称为场效应管,是一种应用场效应原理工作的半导体器件。和普通双极型晶体管相比拟,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等特性,得到了越来越普遍的应用。
  海飞乐技术170N03AD,N沟道增强型MOSFET,电压30V,电流170A,内阻1.35mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的导通电阻,低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用。包装形式为QFN 5×6,符合RoHS标准。
 
170N03AD
RDS(ON) <1.65mΩ @VGS=10V  (Typ:1.35mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
 
170N03AD应用:
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型170A/30V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型170A/30V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型170A/30V MOSFET电参数
N沟道增强型170A/30V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型170A/30V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型170A/30V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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