文章列表
联系我们 产品咨询

电话:+86 755 29691310
邮箱:info@hsmsemi.com
地址:广东省深圳市宝安区宝源路2004号中央大道B栋4G
联系我们快恢复二极管报价选型

  >>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 产品中心 >

N沟道增强型150A/40V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-02 14:05

 N沟道增强型150A/40V MOSFET 
  海飞乐技术150N04A8,N沟道增强型MOSFET,电压40V,电流150A,内阻3.0mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的导通电阻,低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用。包装形式为TO-220AB,符合RoHS标准。
 
150N04A8
快速开关
低门电荷和导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
150N04A8应用:
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型150A/40V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型150A/40V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型150A/40V MOSFET电参数
N沟道增强型150A/40V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型150A/40V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型150A/40V MOSFET特性曲线图 
 
  在测量MOSFET的DS的电压时候,要保证正确的测量方法。
  (1)如同测量输出电压的纹波一样,所有工程师都知道,要去除示波器探头的帽子,直接将探头的信号尖端和地线接触被测量位置的两端,减小地线的环路,从而减小空间耦合的干扰信号。
  (2)带宽的问题,测量输出电压纹波的时候,通常用20MHZ的带宽,但是,测量MOSFET的VDS电压时候,用多少带宽才是正确的测量方法?事实上,如果用不同的带宽,测量到的尖峰电压的幅值是不同的。具体原则是:
  ①确定被测量信号的最快上升Tr和下降时间Tf;
  ②计算最高的信号频率:f=0.5/Tr,Tr取测量信号的10%~90%;f=0.4/Tr,Tr取测量信号的20%~80%;
  ③确定所需的测量精确度,然后计算所需的带宽。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




上一篇:N沟道增强型170A/30V MOSFET
下一篇:N沟道增强型400A/40V MOSFET