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N沟道增强型400A/40V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-05 18:03

N沟道增强型400A/40V MOSFET 
 
  MOSFET主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻,该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOSFET必须在栅极上施加正向偏压,且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOSFET。n沟道耗尽型MOSFET是指在不加栅压(栅源电压为零)时,就有导电沟道产生的n沟道MOSFET。
  海飞乐技术400N04A47,N沟道增强型MOSFET,电压40V,电流400A,内阻1.4mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的导通电阻,低门电荷。它可以在各种各样的应用中使用。包装形式为TO-247,符合RoHS标准。
 
400N04A47
RDS(ON) <1.65mΩ @ VGS=10V (Typ:1.4mΩ)
超低导通电阻
充分表征雪崩电压和电流
封装散热性能好
 
400N04A47应用:
电机
应急电源
不间断电源UPS
 
N沟道增强型400A/40V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型400A/40V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型400A/40V MOSFET电参数
N沟道增强型400A/40V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型400A/40V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型400A/40V MOSFET特性曲线图 
 
MOSFET工作原理
  MOSFET的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷,这些负电荷把高渗杂质的N区接通,形成了导电沟道,即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时,沟道内被感应的电荷量也改变,导电沟道的宽窄也随之而变,因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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