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45A/900V高压MOSFET参数应用

作者:海飞乐技术 时间:2019-08-06 11:19

45A/900V高压MOSFET 
   有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
  海飞乐FN45N90A,硅N沟道45A/900V增强型MOSFET,采用自对准平面技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为SOT-227,符合RoHS标准。
 
FN45N90A
ESD能力提升
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN45N90A应用:
电源开关电路
 
45A/900V高压MOSFET绝对值参数
45A/900V高压MOSFET绝对值参数 
 
45A/900V高压MOSFET电特性
45A/900V高压MOSFET电特性 
 
45A/900V高压MOSFET特性曲线图
45A/900V高压MOSFET特性曲线图 
 
  MOSFET的性能参数有哪些?
  优质的MOS管可以接受的电流峰值更高。普通状况下我们要判别主板上MOS管的质量上下,能够看它能接受的最大电流值。影响MOS管质量上下的参数十分多,像极端电流、极端电压等。但在MOS管上无法标注这么多参数,所以在MOS管外表普通只标注了产品的型号,我们能够依据该型号上网查找详细的性能参数。 还要阐明的是,温度也是MOS管一个十分重要的性能参数。主要包括环境温度、管壳温度、贮成温度等。由于CPU频率的进步,MOS管需求接受的电流也随着加强,提供近百A的电流已经很常见了。如此宏大的电流经过时产生的热量当然使MOS管“发烧”了。为了MOS管的平安,高质量主板也开始为MOS管加装散热片了。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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