N沟道48A/100V MOSFET

  MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。MOS集成电路又分为PMOS、NMOS和CMOS等类型。
  海飞乐技术M056N10A，N沟道MOSFET，电压100V，电流48A，内阻6.6mΩ。采用高单元密度沟槽技术设计，可最大程度地降低导通电阻，为大多数AC/DC快速充电器的同步整流提供了优良的导通电阻和栅极电荷。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
 
40N10A4特点：
高单元密度沟槽技术
低导通电阻最小化导电损耗
低栅极电荷快速开关
低热阻
 
N沟道48A/100V MOSFET绝对值参数  
N沟道48A/100V MOSFET电参数  
N沟道48A/100V MOSFET特性曲线图  
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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