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N沟道72A/500V超结功率MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-11-14 17:45

N沟道72A/500V超结功率MOSFET 
  海飞乐技术FN80N50B是采用自对准超结技术的硅N沟道功率MOSFET,它可以降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为SOT-227,符合RoHS标准。
 
FN80N50B
快速开关
低导通电阻
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
FN80N50B应用:
开关电源(SMPS)
不间断电源(UPS)
功率因数校正(PFC)
 
N沟道72A/500V超结功率MOSFET绝对值参数
N沟道72A/500V超结功率MOSFET绝对值参数 
 
N沟道72A/500V超结功率MOSFET电参数
N沟道72A/500V超结功率MOSFET电参数 
 
功率MOSFET的IDM -脉冲漏极电流参数
  该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低,脉冲电流要远高于连续的直流电流。定义IDM的目的在于:线的欧姆区。对于一定的栅-源电压,MOSFET导通后,存在最大的漏极电流。如图所示,对于给定的一个栅-源电压,如果工作点位于线性区域内,漏极电流的增大会提高漏-源电压,由此增大导通损耗。长时间工作在大功率之下,将导致器件失效。因此,在典型栅极驱动电压下,需要将额定IDM设定在区域之下。区域的分界点在Vgs和曲线相交点。
  ID中并不包含开关损耗,并且实际使用时保持管表面温度在25℃(Tcase)也很难。因此,硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半,通常在1/3~1/4。补充,如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID,这个值更有现实意义。  
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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