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N沟道增强型80A/68V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-12-13 11:29

N沟道增强型80A/68V MOSFET 
  海飞乐技术CS80N07A4,N沟道增强型MOSFET,电压68V,电流80A,内阻6.5mΩ。采用先进的沟槽技术和设计,有快速开关,低导通电阻,低反向传输电容、低栅极电荷等优点。应用于小电机、应急电源、不间断电源、去频闪等领域。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
 
CS80N07A4
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
CS80N07A4应用:
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
小电机
 
N沟道增强型80A/68V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型80A/68V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型80A/68V MOSFET电参数
N沟道增强型80A/68V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型80A/68V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型80A/68V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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