文章列表
联系我们 产品咨询

电话:+86 755 29691310
邮箱:info@hsmsemi.com
地址:广东省深圳市宝安区宝源路2004号中央大道B栋4G
联系我们快恢复二极管报价选型

  >>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 产品中心 >

9A/300V MOSFET场效应管

作者:海飞乐技术 时间:2019-12-16 17:05

9A/300V MOSFET场效应管 
  海飞乐技术9N30A8是采用自对准平面技术的硅N沟道增强型VDMOSFET,它可以降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-220AB,符合RoHS标准。
 
9N30A8
快速开关
低导通电阻(Rdson≤0.55Ω)
低栅极电荷
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量测试
 
9N30A8应用:
适配器和充电器的电源开关电路
 
9A/300V MOSFET场效应管绝对值参数
9A/300V MOSFET场效应管绝对值参数 
 
9A/300V MOSFET场效应管电参数
9A/300V MOSFET场效应管电参数 
 
9A/300V MOSFET场效应管特性曲线图
9A/300V MOSFET场效应管特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




上一篇:N沟道增强型80A/68V MOSFET
下一篇:-5A/-200V高压PMOS场效应管