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-5A/-200V高压PMOS场效应管

作者:海飞乐技术 时间:2019-12-23 17:50

-200V高压PMOS 
  海飞乐技术5P20A4硅P沟道增强型功率MOSFET,采用先进的平面技术工艺设计,低栅极电荷降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
 
5P20A4
RDS(ON) <1.6Ω @ VGS=10V
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
5P20A4应用:
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
应急电源
电机
 
-5A/-200V高压PMOS场效应管绝对值参数
-5A/-200V高压PMOS场效应管绝对值参数 
 
-5A/-200V高压PMOS场效应管电参数
-5A/-200V高压PMOS场效应管电参数 
 
-5A/-200V高压PMOS场效应管特性曲线图
-5A/-200V高压PMOS场效应管特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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