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N沟道增强型120A/100V MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2019-12-26 17:54

N沟道增强型120A/100V MOSFET 
  海飞乐技术120N10AD,N沟道增强型MOSFET,电压100V,电流120A,内阻5mΩ。采用独特优化的超级沟道技术,提供最高效的高频开关性能,有低导通电阻,低反向传输电容、低栅极电荷、低开关功率损耗等优点。应用于电机、控制器、逆变器、UPS等领域。包装形式为QFN5*6,符合RoHS标准。
 
120N10AD
RDS(ON) <5mΩ @ VGS=10V
超低导通损耗的高密度单元设计
完全表征的雪崩电压和电流
极好的散热封装
 
120N10AD应用:
电源开关应用
硬开关和高频电路
不间断电源
 
N沟道增强型120A/100V MOSFET绝对值参数
N沟道增强型120A/100V MOSFET绝对值参数 
 
N沟道增强型120A/100V MOSFET电参数
N沟道增强型120A/100V MOSFET电参数 
 
N沟道增强型120A/100V MOSFET特性曲线图
N沟道增强型120A/100V MOSFET特性曲线图 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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