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N沟道4A/1000V增强型MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-05-18 15:35

N沟道4A/1000V增强型MOSFET 
  海飞乐4N100FA9,硅N沟道4A/1000V增强型MOSFET,采用自对准平面技术,可降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
 
4N100FA9
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量试验
 
4N100FA9应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
N沟道4A/1000V增强型MOSFET绝对值参数
N沟道4A/1000V增强型MOSFET绝对值参数 
 
N沟道4A/1000V增强型MOSFET电参数
N沟道4A/1000V增强型MOSFET电参数 
 
N沟道4A/1000V增强型MOSFET特性曲线图
 
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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