文章列表
联系我们 产品咨询

联系人:吴海丽
电话:0755-2349 0212
手机:157-1205-5037
邮箱:tel-sherry@foxmail.com
地址:广东省深圳市龙华新区民治街道向南四区松花大厦
联系我们快恢复二极管报价选型

  >>您当前位置:海飞乐技术有限公司 > 产品中心 >

大电流PMOS 520A/60V场效应管

作者:海飞乐技术 时间:2020-05-25 16:03

大电流PMOS 520A/60V场效应管 
  海飞乐技术FN520P06A采用先进的沟槽工艺技术,520A60V硅P沟道增强型功率MOSFET,低栅极电荷降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量。该晶体管可用于各种电源开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为SOT-227,符合RoHS标准。
 
FN520P06A
快速开关
低栅极电荷和低导通电阻
低反向传输电容
100%单脉冲雪崩能量试验
 
FN520P06A应用:
电源开关
硬开关高频电路
不间断电源
应急电源
电机
 
大电流PMOS 520A/60V场效应管绝对值参数
大电流PMOS 520A/60V场效应管绝对值参数 
 
大电流PMOS 520A/60V场效应管电参数
大电流PMOS 520A/60V场效应管电参数 
 
大电流PMOS 520A/60V场效应管测试电路
大电流PMOS 520A/60V场效应管测试电路 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有高品质、货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




上一篇:N沟道4A/1000V增强型MOSFET
下一篇:30A/300V快恢复二极管替换DPF30I300PA