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N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-09-04 15:23

N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET 
  海飞乐6N150AHF,硅N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET,采用自对准平面技术,降低了导通损耗,改善了开关性能,提高了雪崩能量。该晶体管可用于各种功率开关电路,使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-3PH,符合RoHS标准。
 
6N150AHF
快速切换
低导通电阻
门控电荷低,开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
6N150AHF应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
6N150AHF绝对值参数
6N150AHF绝对值参数 
 
N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET参数
N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET电参数 
 
N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET特性曲线图
N沟道6A/1500V高压增强型MOSFET特性曲线图 
 
MOSFET的TO封装形式
  不同的封装形式,MOS管对应的极限电流、电压和散热效果都会不一样,简单介绍如下。
  TO-3P/3PH/247:是中高压、大电流MOS管常用的封装形式,产品具有耐压高、抗击穿能力强等特点,适于中压大电流(电流10A以上、耐压值在100V以下)在120A以上、耐压值200V以上的场所中使用。
  TO-220/220F:这两种封装样式的MOS管外观差不多,可以互换使用,不过TO-220背部有散热片,其散热效果比TO-220F要好些,价格相对也要贵些。这两个封装产品适于中压大电流120A以下、高压大电流20A以下的场合应用。
  TO-251:该封装产品主要是为了降低成本和缩小产品体积,主要应用于中压大电流60A以下、高压7N以下环境中。
  TO-263:是TO-220的一个变种,主要是为了提高生产效率和散热而设计,支持极高的电流和电压,在150A以下、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见。
  TO-252:是目前主流封装之一,适用于高压在7N以下、中压在70A以下环境中。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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