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N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-09-14 09:50

1700V高压MOSFET 
  海飞乐3N170FA9,硅N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET,采用自对准平面技术,降低导通损耗,改善开关性能,提高雪崩能量,具有开关速度高、功耗低、热稳定性好、工艺简单等特点。该MOSFET管可用于各种功率开关电路,开关电源、驱动马达、家用电器等领域。使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
 
3N170FA9
快速切换
低导通电阻
门控电荷低,开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
3N170FA9应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
3N170FA9绝对值参数
3N170FA9绝对值参数 
 
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET参数
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET电参数 
 
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图
N沟道增强型3A/1700V高压MOSFET特性曲线图 
 
使用MOSFET注意事项
  MOSFET在关断瞬间,会承受到最大的电压冲击,这个最大电压跟负载有很大关系:如果是阻性负载,那就是来自VCC端的电压,但还需要考虑电源本身的质量,如果电源质量不佳,需要在前级加些必要的保护措施;如果是感性负载,那承受的电压会大不少,因为电感在关断瞬间会产生感生电动势(电磁感应定律),其方向与VCC方向相同(楞次定律),承受的最大电压为VCC与感生电动势之和;如果是变压器负载的话,在感性负载基础上还需要再加上漏感引起的感应电动势。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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