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N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET

作者:海飞乐技术 时间:2020-09-14 09:52

N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET 
  海飞乐6N170AHF,硅N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET,采用自对准平面技术,具有开关速度高、功耗低、热稳定性好、工艺简单等特点。可用于各种功率开关电路,开关电源、驱动马达、家用电器等领域。使系统小型化,效率更高。包装形式为TO-3PH,符合RoHS标准。
 
6N170AHF
快速切换
低导通电阻
门控电荷低,开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
6N170AHF应用:
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
6N170AHF绝对值参数
6N170AHF绝对值参数 
 
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET参数
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET电参数 
 
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET特性曲线图
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET特性曲线图 
 
功率MOSFET驱动电路
  功率MOSFET是电压型驱动器件,没有少数载流子的存贮效应,输入阻抗高,因而开关速度可以很高,驱动功率小,电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大,输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为:
  功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络,它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在,静态时栅极驱动电流几乎为零,但在开通和关断动态过程中,仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS,开关管的 开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
  开关管关断过程中,CISS通过ROFF放电,COSS由RL充电,COSS较大,VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)上升较慢,随着VDS(T)的升高COSS迅速减小至接近于零时,VDS(T)再迅速上升。
  根据以上对功率MOSFET特性的分析,其驱动通常要求:触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度;②开通时以低电阻力栅极电容充电,关断时为栅极提供低 电阻放电回路,以提高功率MOSFET的开关速度;③为了使功率MOSFET可靠触发导通,触发脉冲电压应高于管子的开启电压,为了防止误导通,在其截止 时应提供负的栅源电压;④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流,功率管极间电容越大,所需电流越大,即带负载能力越大。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装,为您提供优质、高效的产品,和国外产品相比,我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服,我们期待您的咨询与合作!




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