N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET

  海飞乐6N170AHF，硅N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET，采用自对准平面技术，具有开关速度高、功耗低、热稳定性好、工艺简单等特点。可用于各种功率开关电路，开关电源、驱动马达、家用电器等领域。使系统小型化，效率更高。包装形式为TO-3PH，符合RoHS标准。
 
6N170AHF特点：
快速切换
低导通电阻
门控电荷低，开关损耗小
快恢复体二极管
100%单脉冲雪崩能量试验
 
6N170AHF应用：
适配器
充电器
SMPS备用电源
 
6N170AHF绝对值参数  
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET电参数  
N沟道增强型6A/1700V高压MOSFET特性曲线图  
功率MOSFET驱动电路
  功率MOSFET是电压型驱动器件，没有少数载流子的存贮效应，输入阻抗高，因而开关速度可以很高，驱动功率小，电路简单。但功率MOSFET的极间电容较大，输入电容CISS、输出电容COSS和反馈电容CRSS与极间电容的关系可表述为：
  功率MOSFET的栅极输入端相当于一个容性网络，它的工作速度与驱动源内阻抗有关。由于 CISS的存在，静态时栅极驱动电流几乎为零，但在开通和关断动态过程中，仍需要一定的驱动电流。假定开关管饱和导通需要的栅极电压值为VGS，开关管的 开通时间TON包括开通延迟时间TD和上升时间TR两部分。
  开关管关断过程中，CISS通过ROFF放电，COSS由RL充电，COSS较大，VDS（T）上升较慢，随着VDS（T）上升较慢，随着VDS（T）的升高COSS迅速减小至接近于零时，VDS（T）再迅速上升。
  根据以上对功率MOSFET特性的分析，其驱动通常要求：触发脉冲要具有足够快的上升和下降速度；②开通时以低电阻力栅极电容充电，关断时为栅极提供低 电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度；③为了使功率MOSFET可靠触发导通，触发脉冲电压应高于管子的开启电压，为了防止误导通，在其截止 时应提供负的栅源电压；④功率开关管开关时所需驱动电流为栅极电容的充放电电流，功率管极间电容越大，所需电流越大，即带负载能力越大。
 
 
  海飞乐技术MOSFET采用台湾芯片及先进的工艺技术封装，为您提供优质、高效的产品，和国外产品相比，我司的该款产品具有货期短、性价比高等优点。更多相关产品资料请联系我司客服，我们期待您的咨询与合作！



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