快恢复二极管失效模式分析与处理方式

  快恢复二极管失效模式(一)——电压击穿
 
  位置：基本上出现在芯片边、角；
  原因：线路中出现了超过器件击穿电压的尖峰电压，器件没挺住，这种失效在肖特基中极为普遍；
  解决措施：
  1、客户改进吸收电路，把经过器件的尖峰电压降下来、
  2、提高器件的雪崩耐量(UIS)。
 
  快恢复二极管失效模式(二)——电流击穿
 
  位置：芯片中部；
  原因：过热；
  解决措施：
  1、并联应用要解决均流效应；（采取限流措施：采用正温度系数器件、VF均匀的器件）
  2、留有足够的电流余量；
  器件热量来源：总热量Q=Q1+Q2
  Q1——由VF产生的静态导通损耗；
  Q2——由trr（Qrr）产生的动态开关损耗；
  •高频使用时Q2>Q1，应选择速度快的器件，适当放宽VF（比如切割机、MOS焊机）。
  •低频使用时Q1>Q2，应选择VF尽量低的器件（比如变频器、IGBT焊机）。



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