VS-FC420SA10现货报价_参数_替换资料

  MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。MOS管是压控器件它通过加在栅极上的电压控制器件的特性，不会发生像三极管做开关时的因基极电流引起的电荷存储效应，因此在开关应用中，MOS管的开关速度应该比三极管快。
 
VS-FC420SA10
  SOT-227封装VS-FC420SA10功率模块，采用ThunderFET®和TrenchFET®技术的单开关功率MOSFET，电压100V，电流435A，开关和导通损耗较低，适用于各类工商业应用。这些MOSFET模块还包括采用全隔离式封装并具有低导通电阻、动态dV/dt额定值以及低漏极电容的功率MOSFET。这些功率MOSFET将快速开关性能、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和高成本效益完美结合。
 
VS-FC420SA10特性
•ID>420 A，TC=25℃
•ThunderFET®功率MOSFET
•低输入电容（cis）
•减少开关频率和损耗
•超低栅极电荷（QG）
•额定雪崩能量（Uis）
 
VS-FC420SA10技术参数
制造商: Vishay
产品种类: 分立半导体模块
Vgs -栅极-源极电压: 20 V
安装风格: SMD/SMT
封装/箱体: SOT-227-4
工作温度范围: - 55℃~+ 175℃ 
封装: Tube
配置: Single  
通道数量: 1 Channel  
晶体管极性: N-Channel  
下降时间: 172ns  
Id-连续漏极电流: 435 A  
Pd-功率耗散: 652 W  
Rds On-漏源导通电阻: 2.15 mOhms  
上升时间: 275 ns  
工厂包装数量: 160  
典型关闭延迟时间: 152 ns  
典型接通延迟时间: 45 ns  
Vds-漏源极击穿电压: 100 V  
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V  
单位重量: 30 g
 
VS-FC420SA10封装尺寸  
VS-FC420SA10替换资料
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