IXFN100N20现货报价_参数_替换资料

  MOSET主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。N沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的N沟道MOS管。N沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的N沟道MOS管。
  IXFN36N100是增强型N沟道MOSFET，Id=36 A，Vds=200V，4引脚SOT-227B封装。主要应用于同步整流、开关电源和照明控制等。
 
IXFN100N20特性
·国际标准封装
·JEDECTO-264 AA，环氧满足UL94V-0
·氮化铝隔离模块
·多晶硅栅结构
·无阻尼感应开关(UIS)额定值
·低电感封装
·快速整流器
 
IXFN100N20应用
·DC-DC转换器
·同步整流
·电池充电器
·开关电源和谐振电源
·直流斩波器
·温度和照明控制
·低压继电器
 
IXFN100N20优势
·易于安装
·节省空间
·高功率密度
 
IXFN100N20现货技术参数
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合  
技术: Si
安装风格: Chassis Mount
封装/箱体: SOT-227-4
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200V
Id-连续漏极电流: 100A
Rds On-漏源导通电阻: 23 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度范围: - 55℃~ 150℃ 
Pd-功率耗散: 520 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 9.6 mm  
长度: 38.23 mm  
宽度: 25.42 mm  
下降时间: 30 ns  
上升时间: 80 ns  
工厂包装数量: 10  
典型关闭延迟时间: 75 ns  
典型接通延迟时间: 30 ns  
单位重量: 30 g
 
IXFN100N20封装尺寸  
IXFN100N20替换资料
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