IRF6811STRPBF现货参数应用及PDF资料下载

IRF6811STRPBF应用
  IRF6811STRPBF将最新的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进DirectFETTM封装相结合，具有极低的导通电阻。封装外形为Micro8，尺寸仅为0.7mm。DirectFET封装与电力应用中使用的现有布局结构兼容。当应用于印刷电路板组装设备和气相，红外或对流焊接技术，是遵循注意事项AN-1035中的有关制造方法和工艺。
  IRF6811STRPbF具有低栅极电阻、低电荷以及超低封装电感，显著降低了开关损耗。提高系统可靠性，使该器件成为高性能隔离DC-DC变换器的理想选择。为最新一代处理器提供更高频率的电源。
 
IRF6811STRPBF特性
符合RoHS
超薄（<0.7 mm）
双面冷却兼容
超低封装电感
高频开关优化
CPU核心DC-DC转换器的理想选择
控制FET应用的优化
兼容现有的表面贴装技术
100% RG测试
与DirectFET兼容的封装外形
 
IRF6811STRPBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
安装风格:SMD/SMT
封装/箱体:DirectFET-SQ
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:25V
Id-连续漏极电流:74 A
Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms
Vgs -栅极-源极电压:±16 V
Qg-栅极电荷:11 nC
Pd-功率耗散:32 W
尺寸:0.7 mm×4.85 mm×3.95 mm
单位重量:215.558 mg
 
IRF6811STRPBF其他参数

 
IRF6811STRPBF特性曲线图  
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