IRF4905PBF现货参数应用及PDF资料下载

IRF4905PBF应用
  英飞凌IR第五代HEXFET®功率MOSFET采用先进的工艺制造技术，并以坚固耐用著称的HEXFET设计，具有极低的导通电阻和快速的开关转换速率，使得IRF1404PBF成为极其高效可靠、应用范围超广的器件。
  TO-220封装是所有商业工业应用的普遍首选，功耗水平约为50W。低热阻和低封装成本的TO-220有助于其在全世界的广泛接受工业。
 
IRF4905PBF特性
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/dt额定值
175℃工作温度
快速开关
P沟道MOSFET
无铅
完全雪崩额定值
 
IRF4905PBF基本参数
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 符合
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装/箱体:TO-220-3
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:55 V
Id-连续漏极电流:70 A
Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:-±20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Qg-栅极电荷:180 nC
工作温度范围:- 55℃~150℃
Pd-功率耗散:170 W
高度:15.65 mm×10 mm×4.4 mm
单位重量:6 g
 
IRF4905PBF电力特性

 
IRF4905PBF特性曲线图  
 
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